Что это
Модуль памяти DDR4 для ноутбуков объёмом 8 гигабайт с частотой 2666 мегагерц и задержкой CAS 19. Форм-фактор SODIMM, количество контактов 260, одиночный ранг, напряжение 1.2 вольта. Совместим с системами поддерживающими стандартную память для ноутбуков.
Главное
по этим параметрам выбирают- CAS Latency CL
- 19
- Объем одного модуля ГБ
- 8
- Общий объем памяти ГБ
- 8
- Нормальная операционная температура Tcase
- 85 °C
- Напряжение (В)
- 1,2
- Тип памяти
- SO-DIMM
- Частота MHz
- 2 666
- Пропускная способность МБ/с
- 21 300
Все 22 параметра
Остальное
| Количество контактов | 260 |
| Линейка | Signature |
| Напряжение (В) | 1,2 |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Тип памяти | SO-DIMM |
| Тип поставки | RTL |
| Цвет | черный Ral |
| Количество модулей в комплекте шт | 1 |
| Общий объем памяти ГБ | 8 |
| Тип памяти DDR | 4 |
| Частота MHz | 2 666 |
| Пропускная способность МБ/с | 21 300 |
| Объем одного модуля ГБ | 8 |
| CAS Latency CL | 19 |
| RAS to CAS Delay tRCD | 19 |
| Row Precharge Delay tRP | 19 |
| Количество рангов | 1 |
| Activate to Precharge Delay tRAS | 43 |
| Нормальная операционная температура Tcase | 85 °C |
| Расширенная операционная температура Tcase | 95 |
| Компоновка чипов на модуле | Двусторонняя |
Комплектация
| Комплектация | Оперативная память |
Оборудование того же класса
совпадает по главным характеристикам: cas latency cl, объем одного модуля гб, общий объем памяти гб
PSD416G266681S20 характеристик
Гарантия производителя
12 927 ₽в наличии
