Модуль памяти DDR4 объёмом 8 ГБ с частотой 2666 МГц и латентностью CL19 для настольных компьютеров. Один ранг на основе микросхем Micron обеспечивает совместимость с большинством материнских плат. Напряжение питания 1.2 В соответствует современным стандартам.
Главное
по этим параметрам выбирают
Activate to Precharge Delay tRAS
43
CAS Latency CL
19
Частота MHz
2 666
Пропускная способность МБ/с
21 300
RAS to CAS Delay tRCD
19
Row Precharge Delay tRP
19
Тайминги
19-19-19-43
Количество контактов
288
Все 22 параметра
Остальное
Дополнительная информация
Одноранговый модуль
Количество контактов
288
Напряжение (В)
1,2
Тип оборудования
Оперативная память
Тип памяти
DIMM
Тип поставки
OEM
Цвет
Черный Ral
Количество модулей в комплекте шт
1
Общий объем памяти ГБ
8
Тип памяти DDR
4
Частота MHz
2 666
Пропускная способность МБ/с
21 300
Объем одного модуля ГБ
8
CAS Latency CL
19
Тайминги
19-19-19-43
RAS to CAS Delay tRCD
19
Row Precharge Delay tRP
19
Количество рангов
1
Название серии
CD4
Activate to Precharge Delay tRAS
43
Корпус и монтаж
Габариты (мм)
135 313
Комплектация
Комплектация
1 модуль DDR4 с 8 ГБ
Оборудование того же класса
совпадает по главным характеристикам: activate to precharge delay tras, cas latency cl, частота mhz
